### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 55mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Low gate charge for fast switching  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.