### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.05Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** (Surface Mount)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management applications, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.