N-channel 30 V, 0.019 Ohm;, 10 A, SO-8 STripFET(TM); V Power MOSFET The **STS10N3LH5** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-speed applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured robustness in harsh environments.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

This information is based solely on STMicroelectronics' datasheet for the **STS10N3LH5**.

N-channel 30 V, 0.019 Ohm;, 10 A, SO-8 STripFET(TM); V Power MOSFET