Dual N-channel 30 V, 0.019 Ohm;, 10 A, SO-8 STripFET (TM); V Power MOSFET The **STS10DN3LH5** is a **N-channel 30 V, 0.014 Ω, 10 A STripFET F7 Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **R_DS(on)GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** **PowerFLAT 3.3x3.3** (5 leads)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Performance:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche-Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Battery protection circuits  

This MOSFET is part of ST's **STripFET F7 series**, designed for high-performance power switching applications.

Dual N-channel 30 V, 0.019 Ohm;, 10 A, SO-8 STripFET (TM); V Power MOSFET