STQ1NK60ZR-AP

N-CHANNEL 600V The STQ1NK60ZR-AP is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about the part:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **R_DS(on) (Max):** 6.5Ω @ 0.5A, 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The STQ1NK60ZR-AP is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and high efficiency.  
- Suitable for power management in consumer and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **TO-92 package for easy mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL 600V