N-CHANNEL 600V The STQ1HNK60R is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.1V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STQ1HNK60R is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 600V