600 V power Schottky silicon carbide diode The STPSC1006D is a silicon carbide (SiC) Schottky diode manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VRRM):** 600 V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 10 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 100 A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.7 V (typical at 10 A, 25°C)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 10 µA (max at 600 V, 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AC  

### **Descriptions & Features:**  
- **SiC Schottky Technology:** Enables high efficiency with low switching losses.  
- **Zero Reverse Recovery Current:** Eliminates reverse recovery losses, improving system efficiency.  
- **High Temperature Operation:** Suitable for harsh environments due to a wide junction temperature range.  
- **Low Forward Voltage Drop:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness in high-voltage applications.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This diode is commonly used in power factor correction (PFC), solar inverters, and high-frequency power supplies.

600 V power Schottky silicon carbide diode