N-CHANNEL 900V 1.1 OHM 8A TO-220 TO-220FP TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The **STP9NK90Z** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Package:** TO-220 (through-hole)  
- **Technology:** MDmesh™ (ST’s advanced high-voltage MOSFET technology for low R_DS(on) and fast switching)  
- **Applications:** High-voltage switching applications, power supplies, inverters, and motor control.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged conditions.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides additional protection against voltage spikes.  

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion and switching applications.

N-CHANNEL 900V 1.1 OHM 8A TO-220 TO-220FP TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET