N-CHANNEL 650V The STP9NK65ZFP is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Package:**  
- **TO-220FP (Fully Insulated)**  

### **Descriptions & Features:**  
- **N-Channel Power MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Zener-Protected:** Integrated gate-source Zener diode for ESD protection.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power conversion.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy transients.  
- **Fully Insulated Package:** Provides electrical isolation for easier mounting.  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For further technical information, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 650V