N-CHANNEL 500V The STP9NB50 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.65Ω (at V_GS = 10V, I_D = 4.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 5V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (Typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP9NB50 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-220 Package**  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet. For detailed application notes and reliability data, refer to the manufacturer's documentation.

N-CHANNEL 500V