N-channel 600 V, 0.59 Ohm, 7 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220 The STP8NM60ND is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP8NM60ND is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge, fast switching speed, and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low R_DS(on) for reduced conduction losses**  
- **Avalanche ruggedness for reliability**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

The device is available in a TO-220 package.  

(End of factual information from Ic-phoenix technical data files.)

N-channel 600 V, 0.59 Ohm, 7 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220