N-channel 600 V - 0.56 Ω - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh? Power MOSFET The STP8NM60N is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP8NM60N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching applications.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 600 V - 0.56 Ω - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh? Power MOSFET