N-CHANNEL 600V The **STP8NM60** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STP8NM60** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (1.5Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  

This MOSFET is commonly used in **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), inverters, and electronic ballasts** due to its high efficiency and reliability.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)

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