N-CHANNEL 1000V The STP8NK100Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP8NK100Z is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power management circuits.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (1000V)**  
- **Low gate charge**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Low on-resistance**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **TO-220FP package (isolated tab for better thermal performance)**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 1000V