N-CHANNEL CLAMPED 7.5MOHM The **STP80NS04ZB** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**
- The **STP80NS04ZB** is a **low-voltage** N-channel MOSFET designed for **high-current, high-efficiency** power switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance** and **fast switching performance**, making it suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  
- The device features **low gate charge**, reducing switching losses in high-frequency applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (80A continuous, 320A pulsed)  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Fully characterized for linear mode operation**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL CLAMPED 7.5MOHM