N-CHANNEL 55V The STP80NF55-08 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST CHINA). Below are its specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST CHINA)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 320A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8.0mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 130nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3800pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  
### **Descriptions:**
The STP80NF55-08 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.
### **Features:**
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- 100% tested for RDS(on)  
This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency applications.