STP80NF55-06

N The STP80NF55-06 is an N-channel power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STP80NF55-06 is a high-performance power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for improved efficiency  
- High current capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

The device is packaged in a TO-220 through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

Would you like any additional details?

N