### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.014Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- **High current capability** (80A continuous, 320A pulsed)  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Fully characterized for linear mode operation**  
- **Standard level gate drive**  
- **Applications:** Switching regulators, motor control, power supplies, and DC-DC converters  

This MOSFET is designed for high-power applications requiring efficient switching and low conduction losses.