N The **STP80NE06-10** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.010Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-power switching applications**  
- Low **on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **TO-220 package** for easy mounting  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for efficient driving  
- **High current capability** for demanding applications  
- **Improved dv/dt capability** for robustness  
- **Suitable for** motor control, power supplies, DC-DC converters, and automotive applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official STMicroelectronics documentation.

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