N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET The STP80NE03L is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STP80NE03L is a high-performance Power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications.

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET