N The STP80NE03L-06 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-220  

### **Description:**  
The STP80NE03L-06 is a low-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low gate charge for reduced switching losses  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications requiring efficient power handling.

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