### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Package:** TO-220FP (fully insulated)  

### **Features:**  
- **High voltage capability** (800V)  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Fully insulated package (TO-220FP)** for improved thermal performance and safety  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **Zener-protected gate** for enhanced robustness  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- Lighting ballasts  
- Industrial and consumer applications  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-efficiency switching applications. The TO-220FP package ensures better thermal dissipation and electrical isolation.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.