N-CHANNEL 600V 1 OHM 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The **STP6NK60Z** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 16A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 85pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  
### **Description:**  
The **STP6NK60Z** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It offers low gate charge and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  
### **Features:**  
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge (12nC typ)**  
- **Low on-resistance (1.5Ω max)**  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
The device is packaged in **TO-220**, providing efficient thermal performance.  
(Source: STMicroelectronics datasheet)