### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A (at Tc=25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 35W (at Tc=25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS=10V, I_D=2.1A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description & Features:**  
- **Technology:** MDmesh™ (low gate charge, fast switching)  
- **Package:** TO-220 (through-hole)  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in high-frequency applications  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions  
- **Applications:** Switching power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage circuits  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-efficiency switching applications.