N-CHANNEL 900V The **STP6NC90Z** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The **STP6NC90Z** is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching and reduced power losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This MOSFET is ideal for high-voltage, high-efficiency power conversion systems.

N-CHANNEL 900V