STP60NE10

N-CHANNEL 100V The STP60NE10 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  

### **Description:**  
The STP60NE10 is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge** for reduced switching losses.  
- **Avalanche Rugged** for improved reliability.  
- **100% Avalanche Tested** for robustness.  
- **Low R_DS(on)** for high current handling.  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact application details, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 100V