N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET The **STP60NE06-16FP** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 16mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-220FP (fully plastic, isolated tab)  
- **Type:** N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ II (low on-resistance and high efficiency)  
- **Applications:** Power switching, motor control, DC-DC converters, and automotive systems  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **High Current Capability:** Suitable for high-power applications  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation  
- **Fully Isolated Package:** TO-220FP ensures electrical isolation  

This MOSFET is designed for high-performance power management in industrial and automotive applications.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET