N-CHANNEL 650V 1.5 OHM 5A TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STP5NK65Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP5NK65Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, lighting, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 650V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering risks.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 650V 1.5 OHM 5A TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET