N-CHANNEL 600V The **STP5NK60Z** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 4V (typ), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STP5NK60Z** is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It is part of ST’s **MDmesh™ Z** series, which combines low on-resistance with fast switching performance. It is suitable for applications such as power supplies, lighting, and motor control.

### **Features:**
- **Zener-protected gate** for enhanced ruggedness  
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **TO-220 package** for easy mounting  

This MOSFET is optimized for high-voltage, high-efficiency applications where reliability and performance are critical.

N-CHANNEL 600V