N The STP5NB90 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  
- **Technology:** MDmesh™ (ST’s advanced high-voltage MOSFET technology)  
- **Type:** Enhancement Mode MOSFET  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage for high-power applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in switching applications.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides additional protection against voltage spikes.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N