N-CHANNEL 800V The STP5NB80 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 18A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max at VGS = 10V, ID = 2.25A)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to 150°C  
### **Description & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for applications requiring up to 800V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of withstanding high-energy avalanche conditions.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, lighting, and industrial applications.  
The STP5NB80 is optimized for high-voltage switching applications with efficient power handling.