N-CHANNEL 1000V The STP5NB100FP is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω @ 10V, 4.5Ω @ 5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STP5NB100FP is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance. The device is suitable for power supplies, inverters, and other high-voltage switching applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (1000V)**  
- **Low Input Capacitance for Fast Switching**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220FP (Insulated) Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 1000V