N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR The STP5N90 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 75pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STP5N90 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR