N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET The STP55NE06 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** ST’s advanced STripFET™ process for low on-resistance and high efficiency.  
- **Package:** TO-220 (through-hole mounting).  
- **Applications:** Designed for high-power switching applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy pulses in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  

For detailed electrical characteristics and thermal data, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET