### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 180W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** ST's advanced Power MOSFET technology  
- **Package:** TO-220 (through-hole mounting)  
- **Application:** Designed for high-power switching applications  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fully Characterized for 100V Operation:** Suitable for industrial and automotive applications  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.