N-CHANNEL 800V The STP4NK80Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP4NK80Z is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It is built using STMicroelectronics' proprietary MDmesh™ technology, which ensures low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage suitable for high-voltage applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operations.  
- **Avalanche-Rugged Design:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, lighting, motor control, and other high-voltage switching applications.

N-CHANNEL 800V