N-CHANNEL 600V The **STP4NK60Z** is a **N-channel Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**
- The **STP4NK60Z** is a **high-voltage MOSFET** designed for **switching applications** in power supplies, motor control, and lighting.  
- It features **low gate charge** and **low on-resistance**, improving efficiency in high-frequency switching circuits.  
- The device is housed in a **TO-220 package**, providing good thermal performance.  

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate drive requirements**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL 600V