STP4NK60Z.

N-CHANNEL 600V The **STP4NK60Z** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STP4NK60Z** is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It is optimized for low gate charge and high efficiency, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **100% Avalanche Tested** for ruggedness  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge** for improved efficiency  
- **TO-220 Package** for easy mounting  

This MOSFET is commonly used in **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), inverters, and electronic ballasts**.  

(Source: STMicroelectronics Datasheet)

N-CHANNEL 600V