N-CHANNEL 500V The **STP4NK50Z** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Package:** TO-220  
- **Technology:** MDmesh™ (ST's advanced power MOSFET technology for low conduction losses)  
- **Applications:** Switching power supplies, lighting, motor control, and other high-voltage applications  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **High dv/dt capability** for robustness in switching applications  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **100% avalanche tested** for high-energy handling  

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion and switching applications.

N-CHANNEL 500V