N-CHANNEL 800V The STP4NB80FP is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 16A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 18nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  
### **Description:**  
The STP4NB80FP is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability  
- **TO-220FP Package:** Provides good thermal performance  
This MOSFET is commonly used in offline power supplies, lighting ballasts, and industrial applications requiring high-voltage switching.