N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The STP4NB50 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
The STP4NB50 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which ensures low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-220 Package**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET