N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR The STP4NA90 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STP4NA90 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which ensures low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**
- **High voltage capability (900V)**  
- **Low gate charge**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **TO-220 package for easy mounting**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, and high-voltage switching circuits.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR