N-CHANNEL 60V The STP45NE06L is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 45A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 180A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 78nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 650pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STP45NE06L is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, high current capability, and fast switching performance, making it suitable for various power management and motor control applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Standard and lead-free versions available  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes or additional parameters, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL 60V