N-CHANNEL 800V The STP3NK80Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 12A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3Ω (typical at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
### **Descriptions:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** TO-220 (through-hole)  
- **Technology:** MDmesh™ (low gate charge and low RDS(on))  
- **Application:** High-voltage switching applications  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 800V applications.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides additional protection against voltage spikes.  
This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits.