STP3NK100Z

N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-220FP - DPAK Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET The STP3NK100Z is an N-channel 1000V, 2.7A (max) SuperMESH™ Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 70W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 15nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description & Features:**  
- **SuperMESH™ Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability during avalanche conditions.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **Applications:**  
  - Switch-mode power supplies (SMPS)  
  - Lighting ballasts  
  - Electronic lamp ballasts  
  - High-voltage power converters  

### **Package:**  
- **TO-220FP (Insulated):** Provides electrical isolation between the device and heatsink.  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-efficiency power switching applications.

N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-220FP - DPAK Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET