N The STP3NB90 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STP3NB90 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Low Input Capacitance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Low On-Resistance**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the STP3NB90 MOSFET.

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