N-CHANNEL 800V The **STP3NB80** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STP3NB80** is an N-channel **800V** power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is optimized for **low gate charge** and **fast switching performance**, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**
- **High voltage capability (800V)**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **TO-220 package for efficient heat dissipation**  

This MOSFET is commonly used in **switched-mode power supplies (SMPS), lighting, and industrial applications** where high voltage and efficiency are required.

N-CHANNEL 800V