N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The STP3NB60 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.8A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 11A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Package:**
- **TO-220 (Through-Hole Package)**  

### **Description:**
The STP3NB60 is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the STP3NB60 MOSFET.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET