### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220FP (Insulated)  

### **Description:**  
The STP3NA50FI is an N-channel 500V MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features low gate charge, fast switching, and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low Input and Output Capacitance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Insulated TO-220FP Package for Easy Mounting**  
- **Avalanche Energy Specified**  

This MOSFET is optimized for efficiency and reliability in high-voltage circuits.