STP34NM60N

N-channel 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 The **STP34NM60N** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 34A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 136A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 17A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** MDmesh™ II technology for high efficiency and ruggedness  
- **Low Gate Charge:** Ensures reduced switching losses  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability in avalanche mode  
- **Zener-Protected Gate:** Enhanced reliability  
- **Applications:**  
  - Switch-mode power supplies (SMPS)  
  - Motor control  
  - Lighting  
  - Industrial applications  

The **STP34NM60N** is designed for high-voltage, high-speed switching applications with low conduction losses.

N-channel 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220